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公司基本信息
企业名称： *********** 企业性质： 有限责任公司
网址：
公司简介： 南京国芯半导体有限公司位于南京高新技术产业开发区新科四路4号，企业性质为外商独资，投资规模为2980万美元，注册资金为1200万美元。公司的宗旨是：追踪国际半导体发展的前沿高端技术，引进目前国际上主流化合物半导体高频芯片生产线设备，建立相应的产业基地，并且研发生产化合物半导体芯片材料及延伸产品，以填补国产空白,解决国外对我国限制出口的问题，满足市场需求。


项目基本信息
项目名称： 芯片半导体项目 融资额度： 1亿以上、
所属行业：		 电子与信息、
所在地域：		 南京市、
企业年限： 2年以上、
年销售额：
 		1000万－5000万、
融资方式：
股权投资、
保证方式：
股权合作、
具体融资额度：		 15000万 融资用途： 入股生产
融资年限： 5    
项目情况： 本项目是突破国外垄断和封锁，成功建立的国内第一条化合物半导体高频芯片产业化项目。 半导体产业是世界各国竞相争夺的战略制高点，半导体技术是经济发展的驱动器，而化合物半导体技术则是下一代半导体技术的基石，化合物半导体芯片技术还是国家电子信息发展的关键核心技术，是国家亟需占领的高科技战略制高点。 化合物半导体是21世纪引领电子信息技术超速发展的核心与基础材料之一。其中，砷化镓化合物半导体的主要特点是宽禁带、直接带隙和高电子迁移率，在微电子领域特别适合用于制造高速、高频、大功率电子器件，它还具有耐高温、耐辐射、抗干扰、低功耗等特点，电子信息传输稳定快速。 无线移动通讯、有线电视网络、微波卫星通讯、导航、直播卫星电视、无线局域网、全球定位系统，电子安全系统、射频识别系统、商用定点保密通信、以及光纤通信领域，汽车电子系统等，均需大量采用砷化镓超高速电路芯片和器件。 发光二极管（LED）和半导体激光器（LD），其核心芯片也均是砷化镓、氮化镓半导体材料制作，可以说化合物芯片是国家半导体照明工程的核心技术。 砷化镓芯片在国防军工领域也起着至关重要的作用，军事卫星通信、卫星导航系统、现代军事雷达、电子对抗系统、高精度导弹、精确制导系统等都有大量需求，牵涉到国家的安全。 化合物半导体的应用领域广泛，在其他领域也拥有独特而强大的优势，如光探测器、光计算机和空间技术等等，其中任何一个领域都具有不可估量的发展前景。目前这些领域的化合物半导体芯片，尤其在高端领域，国内无法生产，完全依赖进口。部分国家亟需的芯片器件，国外对我们严密封锁。 我国电子信息产业的规模已超过日本，仅次于美国位居世界第二位，信息产业已成为我国第一大的支柱产业，我国虽已成为全球重要的元器件生产基地，但我国远非电子元器件生产强国，产品技术档次不高，研发水平落后，要实现电子信息产业大国向强国跨越，必须有强大的电子元器件产业作支撑，发展重点是尽快掌握核心芯片和关键元器件的产品技术。 化合物半导体属新材料产业，具有超越传统产业的高成长性。作为新一代半导体材料，化合物半导体芯片技术是一个产业链的核心和龙头。国外的砷化镓高频器件产品已有上千种，而我国至今还未能产业化量产，只有部分研究机构有少量的试验生产,主要提供给试验研究用。砷化镓化合物半导体芯片的供应全部需要依赖国外进口，市场缺口巨大，市场空间极为广大，也蕴育着巨大商机。 该项目4英寸化合物半导体芯片生产线的年生产能力为6万片，生产设备已开始安装连线，即将进行调试和试生产，产品种类有十余种数百项，计划逐步投产，产品包括有光电子领域的LED芯片和LD芯片、微电子领域的高频器件和集成电路芯片，另外还有硅/砷化镓外延片、部分特殊硅/砷化镓射频器件。公司拥有多项专有技术，拥有系列产品开发计划，还将不断产生许多自主知识产权。初步测算，预计三年内达到基本生产能力，年产值可达6亿元以上，年利税达2亿元以上。达产期后的增长期，年产值可达10亿元以上。 在此基础上，可继续开发SiC、GaN第三代半导体材料的新领域，从而推动研制新一代半导体器件发展，持续保持技术领先优势，占领国内该领域的制高点。 二、项目前期开发进展情况 公司占地26600余平方米，主厂房建设5000平米，其中高标准净化车间达3000平米，洁净度为1000级，局部为100级。目前生产厂房建设和相关配套设施建设（包括：电站、超纯水站、高纯气体站、污水处理站、尾气处理系统、空气净化系统、空调控制系统、信息管理系统、安全监控系统、消防安全系统等）已建设完成，整套高精密半导体生产线设备已安装到位，扩散区、离子注入区、清洗区、MOCVD区、检测区二次配管和连线完成，外延区设备安装连线完成。 本项目的产品，在国际上属于先进的成熟技术，生产所需的设备属于高端精密设备，公司的生产线已建立完成，公司整套生产线精密设备全部引进于国外，生产准备工作已基本完成。相应的产品计划和工艺路线已制定，即将进入设备的安装调试和试生产阶段。一旦资金计划落实，即可按计划投产。 三、公司发展计划 一期项目：4英寸化合物半导体高频芯片生产线 二期项目：工程技术研究开发中心和培训中心 三期项目：特种半导体芯片封装生产线和测试中心 四、主要产品系列 1、高亮度功率发光管（LED）芯片 2、半导体激光器（LD）芯片 3、砷化镓分立器件芯片 4、砷化镓MMIC电路芯片 5、特种半导体敏感器件芯片 6、硅/砷化镓外延片 7、硅/砷化镓射频器件


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